图 2.不同探测器温度下的分辨率与峰值时间之间的关系。请注意，对于 SDD 通常使用的峰值时间（<4µs），分辨率在整个探测器温度上的变化不大。
图 4.与 DP5 相结合的硅漂移探测器（SDD）在不同峰值时间下的分辨率与输入计数率之间的关系。
该图还显示了最大输出计数率的曲线。尽管输入计数率较高，但在该曲线的右侧进行操作会导致吞吐量低于最大值。请参见下面的图 5。
图 5.硅漂移探测器（SDD）的吞吐量。由于探测器的电容较小，因此在不牺牲分辨率的情况下，整形放大器中使用的峰值时间要短得多。通常使用 4 µs 或更短的时间。这会显著提高系统的吞吐量。
图 6.使用硅漂移探测器（SDD）采集的峰值通道中有 400 万计数的 55Fe 频谱。
图 7.硅漂移探测器（SDD）在不同峰值时间下的分辨率与能量之间的关系。
图 8.能量分辨率、效率和 X 射线能量： 此图显示了固有效率（顶部）和能量分辨率（底部）与 X 射线能量之间的关系。
在底部图中，黑色曲线表示由于电荷产生过程中的量子涨落而产生的“Fano 展宽”，这是 Si 探测器的理论上限。 彩色曲线表示在最佳条件（完全冷却和较长的峰值时间）下 Fano 展宽和固有电子噪声的组合。 在低能量下选择何种探测器关系重大，因为在足够高的能量下，Fano 展宽占主导地位。
在顶部图中，低能量下的效率由透过窗口和探测器死层的透射率决定。 高能量下的效率由探测器有效深度的衰减决定。 建议在 2 至 30 keV 之间使用带铍窗的 Si 探测器。 建议在低能量下使用带 C1 或 C2 窗口的 Si 探测器，而在能量高于 30 keV 时最好使用 CdTe 探测器。
效率包：一个包含系数和有关效率常见问题解答的 ZIP 文件。此效率包仅供参考。不应将其用作关键定量分析的依据。