工作原理
X 射线和伽马射线与 CdTe 原子相互作用,CdTe 中每损失 4.43 eV 能量,就会平均产生一个电子/空穴对。根据入射辐射的能量,这种能量损失主要由光电效应或康普顿散射决定。探测器“阻止”入射辐射并产生电子/空穴对的概率或效率随 CdTe 厚度的增加而增加。
为了便于 CdTe 探测器中的电子/空穴收集过程,我们施加了一个 + 500 伏的电压。此电压过高,使探测器不能在室温下运行,因为这会导致过多泄漏,甚至击穿。由于 XR-100T-CdTe 中的探测器被冷却,泄漏电流大大降低,从而可施加高偏压。
热电制冷器可冷却 CdTe 探测器和电荷灵敏前置放大器的输入 FET 晶体管。冷却 FET 可降低其泄漏电流并提高跨导,进而降低系统的电子噪声。
为了进一步降低电子噪声,反馈电容和前置放大器的部分电流反馈网络也放置在与探测器和 FET 相同的基板上。这最大程度地降低了输入处的寄生电容。
温度监测传感器放置在冷却基板上,可直接读取内部组件的温度,温度将随室温的变化而变化。一旦内部温度低于 -10 °C,XR-100CdTe 的性能将不会受到几度温度波动的影响。因此,在实验室内使用 XR-100CdTe 时,无需精确的温度控制。
真空应用
XR-100CdTe 可在空气或低至 10-8 托的真空下工作。XR-100CdTe 有两种真空工作方式:1)整个 XR-100CdTe 探测器和前置放大器盒可放置在真空室内。为了避免过热并耗散 XR-100CdTe 工作时产生的 1 瓦功率,应借助四个安装孔来实现真空室壁的良好传热。真空法兰上可选配的 9DVF 9 针 D 型真空馈通连接器可用于将 XR-100CdTe 连接到真空室外的 PX5。2)XR-100CdTe 可位于真空室外,通过标准真空法兰压缩 O 形端口检测真空室内的 X 射线。可选型号 EXV9(9 英寸)真空探测器延长管适用于此应用。请参见带延长管和真空法兰的 XR-100CdTe 和真空应用组件的照片。