典型性能特征
分辨率 | 峰值时间 |
124 eV FWHM | 4 µs |
126 eV FWHM | 1 µs |
134 eV FWHM | 0.2 µs |
表 1.FAST SDD® 的分辨率与峰值时间之间的关系。
![](/-/media/ametekamptek/images/products/sdd_vs_fastsdd2.png?la=zh-cn&revision=9f4d0dc6-16dd-4e95-a2ac-b7e5da93a5a1&hash=C7A6062290A96E74986B2333DF46DA48)
图 1.FAST SDD® 和标准 SDD 在 210 K 下的分辨率与峰值时间之间的关系。
![](/-/media/ametekamptek/images/products/25mm2fastsdd_tpk_fwhm.png?la=zh-cn&revision=03a28daa-669e-4b45-8101-bf1c42fd3874&hash=C12795C5870361D48DBAC6DEB58995E0)
图 2.不同探测器温度下的分辨率与峰值时间之间的关系。请注意,对于 FAST SDD® 经常使用的峰值时间,分辨率在整个温度上的变化不大 (< />>
![](/-/media/ametekamptek/images/products/superfast2.png?la=zh-cn&revision=b4b32eab-2c36-415a-8085-3e57c7c360e3&hash=A8142301403B8D75BEBF8E53AAEA5202)
图 4.FAST SDD® 的吞吐量。
![](/-/media/ametekamptek/images/products/superfast3.png?la=zh-cn&revision=89c1a02a-1c6f-4d7f-82d3-d4975b6ab78f&hash=F1E3350EEA731BD44A4B31EF8D258C4A)
图 5.FAST SDD ® 在不同峰值时间下的分辨率与输入计数率(ICR)之间的关系。
![](/-/media/ametekamptek/images/products/energy-resolution-efficiency-x-ray-energy.png?la=zh-cn&revision=282be33f-1ed3-4930-ac83-74a2a0d8fa7e&hash=4FF576A67D1AB6AEE4A2467674EC0A36)
图 5.能量分辨率、效率和 X 射线能量:此图显示了固有效率(顶部)和能量分辨率(底部)与 X 射线能量之间的关系。
在底部图中,黑色曲线表示由于电荷产生过程中的量子涨落而产生的“Fano 展宽”,这是 Si 探测器的理论上限。 彩色曲线表示在最佳条件(完全冷却和较长的峰值时间)下 Fano 展宽和固有电子噪声的组合。 在低能量下选择何种探测器关系重大,因为在足够高的能量下,Fano 展宽占主导地位。
在顶部图中,低能量下的效率由透过窗口和探测器死层的透射率决定。 高能量下的效率由探测器有效深度的衰减决定。 建议在 2 至 30 keV 之间使用带铍窗的 Si 探测器。 建议在低能量下使用带 C1 或 C2 窗口的 Si 探测器,而在能量高于 30 keV 时最好使用 CdTe 探测器。
效率包:一个包含系数和有关效率常见问题解答的 ZIP 文件。此效率包仅供参考。不应将其用作关键定量分析的依据。